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磷化銦
中鍺科技為客戶提供2-4英寸半導體級磷化銦襯底、廣泛應用于微波振蕩器與放大器、光纖通訊放大器等領域。
品種直徑(英寸)類型濃度(cm-3)遷移率(cm2/V.s)電阻率(Ω.cm)位錯密度(cm-3)
非摻InP2N≤3×1016(3.5-4)×103 <1×103
S-InP2N(0.8-6)×1018(1.5-3.5)×103 <500
3(0.8-6)×1018(1.5-3.5)×103 <1×103
4(0.8-6)×1018(1.5-3.5)×103 <5×103
Zn-InP2/3/4P(0.6-6)×101850-70 <1×103
Fe-InP2SI
>1000>0.5×107<5×103
3
4
晶片單面拋光或雙線拋光,開盒即用。晶向(100),2英寸片標準厚度350±25μm,3英寸標準厚度600±25μm,4英寸片標準厚度625±25μm,其它特殊規格根據要求加工。


                                                                                                  InP  SubstratesCrystal NO. TD02-180525S

長晶方式 Growth MethodVGF
電導型 Conduction TypeN    type
攙雜 zDopantS
載流子濃度 Carrier Concentration(1~4)E18    cm-3
電阻率 Resistivity(1.0~1.3)E-3  Ω.cm
電子遷移率   Mobility>1500 cm2/V.s
EPD<1000  cm-2
晶體取向  Orientation(100)±0.5  degree
大平面晶體取向 Major flat orientation/length[0-1-1]±0.1/16±1   degree/mm
小平面晶體取向 Minor flat orientation/length[0-11]±0.5/7±1   degree/mm
厚度  Thickness(center)350±25  um
直徑  Diameter50.8±0.5  mm
TTV<10  um
BOW<10  um
表面加工  Surface treatmentSingle Side EPI-Ready Polished








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