EN
首頁 > 產品與行業應用 > 半導體鍺芯片
半導體鍺芯片
公司目前采用CZ直拉法“零位錯”技術,已能生產出6英寸太陽能電池用鍺襯底。產品主要廣泛應用于空間太陽能電池、店面高倍聚光太陽能電站等。中鍺是國內技術領先的太陽能電池用鍺襯底片的生產制造商,打破了國外對該產品的壟斷,產品終端形態已由材料加工型延伸到客戶應用型。
半導體鍺芯片技術參數

摻雜類型

P(or或S-C-P)
摻雜物質Ge-ga
直徑100±0.25
晶向(100)to向[111]by偏9°(or或6°)±0.5°
轉向角度N/A
主參考面晶向<110>(or或100)±0.2°
主參考面邊長度15(or或32)±1
副參考面晶向N/A
副參考面邊長度N/A
電阻率0.01-0.04(0.005-0.003)
電子遷移率N/A(T>800cm2/V.S.)
載流子濃度CC值N/A(0.2-3E18)
位錯密度≤300
激光刻字主面參考邊對面(依客戶差異確認)
厚度140(175)±10
TTV<10-15
TIRN/A
BOW<10-15
Warp<15
Surface正面拋光、背面(金剛石)研磨
顆粒數量N/A[<300(>0.3μm)]
強度N/A(≥5-6lbf)
少子壽命N/A(>1μSec)
包裝材料及方法充氮氣雙層袋包裝(或單片包裝,免清洗)


微信圖片_20190409180602.jpg


CopyRight 2018 中鍺科技有限公司版權所有 All rights reserved. 寧ICP備88888888號
技術支持:35互聯
中国免费的一级A片视频